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產(chǎn)品說明:1700V,75A,SP3F,全橋IGBT模塊
封裝:SP3F產(chǎn)品說明:1700V,75A,SP3F,雙共發(fā)射極IGBT模塊
封裝:SP3F產(chǎn)品說明:1700V,75A,SP3F,相腳IGBT模塊
封裝:SP3F產(chǎn)品說明:1700V,75A,SP1F,Phase Leg IGBT模塊
封裝:SP1F產(chǎn)品說明:1700V,600A,D4,單開關(guān)IGBT模塊
封裝:D4產(chǎn)品說明:1700V,600A,SP6C,降壓轉(zhuǎn)換器IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:1700V,600A,SP6C,雙共發(fā)射極IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:1700V,600A,SP6C,增益斬波型IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:1700V,300A,SP6C,T型IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:帶肖特基二極管的雙N溝道30V MOSFET晶體管
封裝:WDFN-8產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 53 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
封裝:D2PAK-7產(chǎn)品說明:1600 V、30 A溝槽柵極場截止軟開關(guān)IH2系列IGBT 晶體管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:600V,CoolMOS? CFD7 SJ 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO247-3
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說明:80V,OptiMOS? 3 N-通道功率 MOSFET 晶體管
封裝:Chip產(chǎn)品說明:25V,OptiMOS? -5 MOSFET 晶體管,PG-TSDSON-8
封裝:PG-TSDSON-8電話咨詢:86-755-83294757
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